1、用指針式萬用表對(duì)場效應(yīng)管進(jìn)行判別

　　A）用測電阻法判別結(jié)型場效應(yīng)管的電*

　　根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場效應(yīng)管的三個(gè)電*。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個(gè)電*，分別測出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電*的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時(shí)，則該兩個(gè)電*分別是漏*D和源*S。因?yàn)閷?duì)結(jié)型場效應(yīng)管而言，漏*和源*可互換，剩下的電*肯定是柵*Ｇ。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個(gè)電*，另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)電*，測其電阻值。當(dāng)出現(xiàn)兩次測得的電阻值近似相等時(shí)，則黑表筆所接觸的電*為柵*，其余兩電*分別為漏*和源*。若兩次測出的電阻值均很大，說明是ＰＮ結(jié)的反向，即都是反向電阻，可以判定是Ｎ溝道場效應(yīng)管，且黑表筆接的是柵*；若兩次測出的電阻值均很小，說明是正向ＰＮ結(jié)，即是正向電阻，判定為Ｐ溝道場效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵*。若不出現(xiàn)上述情況，可以調(diào)換黑、紅表筆按上述方法進(jìn)行測試，直到判別出柵*為止。

　　B）用測電阻法判別場效應(yīng)管的好壞

　　測電阻法是用萬用表測量場效應(yīng)管的源*與漏*、柵*與源*、柵*與漏*、柵*Ｇ1與柵*Ｇ2之間的電阻值同場效應(yīng)管手冊標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100檔，測量源*Ｓ與漏*Ｄ之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知，各種不同型號(hào)的管，其電阻值是各不相同的），如果測得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測得阻值是無窮大，可能是內(nèi)部斷*。然后把萬用表置于Ｒ×１０ｋ檔，再測柵*Ｇ1與Ｇ2之間、柵*與源*、柵*與漏*之間的電阻值，當(dāng)測得其各項(xiàng)電阻值均為無窮大，則說明管是正常的；若測得上述各阻值太小或?yàn)橥罚瑒t說明管是壞的。要注意，若兩個(gè)柵*在管內(nèi)斷*，可用元件代換法進(jìn)行檢測。

　　C）用感應(yīng)信號(hào)輸人法估測場效應(yīng)管的放大能力

　　具體方法：用萬用表電阻的R×100檔，紅表筆接源*Ｓ，黑表筆接漏*Ｄ，給場效應(yīng)管加上1.5Ｖ的電源電壓，此時(shí)表針指示出的漏源*間的電阻值。然后用手捏住結(jié)型場效應(yīng)管的柵*Ｇ，將人體的感應(yīng)電壓信號(hào)加到柵*上。這樣，由于管的放大作用，漏源電壓VDS和漏*電流Iｂ都要發(fā)生變化，也就是漏源*間電阻發(fā)生了變化，由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵*表針擺動(dòng)較小，說明管的放大能力較差；表針擺動(dòng)較大，表明管的放大能力大；若表針不動(dòng)，說明管是壞的。

　　根據(jù)上述方法，我們用萬用表的R×100檔，測結(jié)型場效應(yīng)管3DJ2F。先將管的Ｇ*開路，測得漏源電阻RDS為600Ω，用手捏住Ｇ*后，表針向左擺動(dòng)，指示的電阻RDS為12kΩ，表針擺動(dòng)的幅度較大，說明該管是好的，并有較大的放大能力。

　　運(yùn)用這種方法時(shí)要說明幾點(diǎn)：首先，在測試場效應(yīng)管用手捏住柵*時(shí)，萬用表針可能向右擺動(dòng)（電阻值減小），也可能向左擺動(dòng)（電阻值增加）。這是由于人體感應(yīng)的交流電壓較高，而不同的場效應(yīng)管用電阻檔測量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同（或者工作在飽和區(qū)或者在不飽和區(qū)）所致，試驗(yàn)表明，多數(shù)管的RDS增大，即表針向左擺動(dòng)；少數(shù)管的RDS減小，使表針向右擺動(dòng)。但無論表針擺動(dòng)方向如何，只要表針擺動(dòng)幅度較大，就說明管有較大的放大能力。第二，此方法對(duì)MOS場效應(yīng)管也適用。但要注意，MOS場效應(yīng)管的輸人電阻高，柵*Ｇ允許的感應(yīng)電壓不應(yīng)過高，所以不要直接用手去捏柵*，必須用于握螺絲刀的絕緣柄，用金屬桿去碰觸柵*，以防止人體感應(yīng)電荷直接加到柵*，引起柵*擊穿。第三，每次測量完畢，應(yīng)當(dāng)G-S*間短路一下。這是因?yàn)镚-S結(jié)電容上會(huì)充有少量電荷，建立起ＶGＳ電壓，造成再進(jìn)行測量時(shí)表針可能不動(dòng)，只有將G-S*間電荷短路放掉才行。

　　D）用測電阻法判別無標(biāo)志的場效應(yīng)管

　　首先用測量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳，也就是源*Ｓ和漏*Ｄ，余下兩個(gè)腳為*柵*G1和第二柵*G2。把先用兩表筆測的源*Ｓ與漏*Ｄ之間的電阻值記下來，對(duì)調(diào)表筆再測量一次，把其測得電阻值記下來，兩次測得阻值較大的一次，黑表筆所接的電*為漏*Ｄ；紅表筆所接的為源*Ｓ。用這種方法判別出來的Ｓ、Ｄ*，還可以用估測其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證，即放大能力大的黑表筆所接的是Ｄ*；紅表筆所接地是８*，兩種方法檢測結(jié)果均應(yīng)一樣。當(dāng)確定了漏*Ｄ、源*Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的對(duì)應(yīng)位置裝人電路，一般G1、G2也會(huì)依次對(duì)準(zhǔn)位置，這就確定了兩個(gè)柵*G1、G2的位置，從而就確定了Ｄ、S、G1、G2管腳的順序。

　　E）用測反向電阻值的變化判斷跨導(dǎo)的大小

　　對(duì)ＶＭＯＳＮ溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管測量跨導(dǎo)性能時(shí)，可用紅表筆接源*Ｓ、黑表筆接漏*Ｄ，這就相當(dāng)于在源、漏*之間加了一個(gè)反向電壓。此時(shí)柵*是開路的，管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的。將萬用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔，此時(shí)表內(nèi)電壓較高。當(dāng)用手接觸柵*Ｇ時(shí)，會(huì)發(fā)現(xiàn)管的反向電阻值有明顯地變化，其變化越大，說明管的跨導(dǎo)值越高；如果被測管的跨導(dǎo)很小，用此法測時(shí)，反向阻值變化不大。

　　2、場效應(yīng)管的使用注意事項(xiàng)

　　A）為了安全使用場效應(yīng)管，在線路的設(shè)計(jì)中不能超過管的耗散功率，*大漏源電壓、*大柵源電壓和*大電流等參數(shù)的*限值。

　　B）各類型場效應(yīng)管在使用時(shí)，都要嚴(yán)格按要求的偏置接人電路中，要遵守場效應(yīng)管偏置的*性。如結(jié)型場效應(yīng)管柵源漏之間是ＰＮ結(jié)，Ｎ溝道管柵*不能加正偏壓；Ｐ溝道管柵*不能加負(fù)偏壓，等等。

　　C）MOS場效應(yīng)管由于輸人阻抗*高，所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應(yīng)電勢將柵*擊穿。尤其要注意，不能將MOS場效應(yīng)管放人塑料盒子內(nèi)，保存時(shí)*好放在金屬盒內(nèi)，同時(shí)也要注意管的防潮。

　　D）為了防止場效應(yīng)管柵*感應(yīng)擊穿，要求一切測試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時(shí)，先焊源*；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時(shí)，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等；當(dāng)然，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵，焊接場效應(yīng)管是比較方便的，并且確保安全；在未關(guān)斷電源時(shí)，*不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應(yīng)管時(shí)必須注意。

　　E）在安裝場效應(yīng)管時(shí)，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件；為了防管件振動(dòng)，有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在彎曲時(shí)，應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸５毫米處進(jìn)行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。

　　對(duì)于功率型場效應(yīng)管，要有良好的散熱條件。因?yàn)楣β市蛨鲂?yīng)管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用，必須設(shè)計(jì)足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值，使器件長期穩(wěn)定可靠地工作。

　　總之，確保場效應(yīng)管安全使用，要注意的事項(xiàng)是多種多樣，采取的安全措施也是各種各樣，廣大的專業(yè)技術(shù)人員，特別是廣大的電子愛好者，都要根據(jù)自己的實(shí)際情況出發(fā)，采取切實(shí)可行的辦法，安全有效地用好場效應(yīng)管。

　　3、VMOS場效應(yīng)管

　　VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）、驅(qū)動(dòng)電流小（0.1μA左右），還具有耐壓高（*高1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導(dǎo)的線性好、開關(guān)速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。

　　VMOS場效應(yīng)功率管具有*高的輸入阻抗及較大的線性放大區(qū)等優(yōu)點(diǎn)，尤其是其具有負(fù)的電流溫度系數(shù)，即在柵-源電壓不變的情況下，導(dǎo)通電流會(huì)隨管溫升高而減小，故不存在由于“二次擊穿”現(xiàn)象所引起的管子損壞現(xiàn)象。因此，VMOS管的并聯(lián)得到廣泛應(yīng)用。

　　眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場效應(yīng)管的柵*、源*和漏*大大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng)。VMOS管則不同，從圖1上可以看出其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):*，金屬柵*采用V型槽結(jié)構(gòu)；第二，具有垂直導(dǎo)電性。由于漏*是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動(dòng)，而是自重?fù)诫sN+區(qū)（源*S）出發(fā)，經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū)，*后垂直向下到達(dá)漏*D。電流方向如圖中箭頭所示，因?yàn)榱魍ń孛娣e增大，所以能通過大電流。由于在柵*與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應(yīng)管。

　　國內(nèi)生產(chǎn)VMOS場效應(yīng)管的主要廠家有877廠、天津半導(dǎo)體器件四廠、杭州電子管廠等，典型產(chǎn)品有VN401、VN672、VMPT2等。

　　下面介紹檢測VMOS管的方法：

　　a)判定柵*G

　　將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個(gè)管腳之間的電阻。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大，并且交換表筆后仍為無窮大，則證明此腳為G*，因?yàn)樗土硗鈨蓚€(gè)管腳是絕緣的。

　　b)判定源*S、漏*D

　　由圖1可見，在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié)，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異，可識(shí)別S*與D*。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時(shí)黑表筆的是S*，紅表筆接D*。

　　c)測量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）

　　將G-S*短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S*，紅表筆接D*，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。

　　由于測試條件不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表R×1檔實(shí)測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。

　　d)檢查跨導(dǎo)

　　將萬用表置于R×1k（或R×100）檔，紅表筆接S*，黑表筆接D*，手持螺絲刀去碰觸柵*，表針應(yīng)有明顯偏轉(zhuǎn)，偏轉(zhuǎn)愈大，管子的跨導(dǎo)愈高。

　　注意事項(xiàng)：

　　1）VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數(shù)產(chǎn)品屬于N溝道管。對(duì)于P溝道管，測量時(shí)應(yīng)交換表筆的位置。

　　2）有少數(shù)VMOS管在G-S之間并有保護(hù)二*管，本檢測方法中的1、2項(xiàng)不再適用。

　　3）目前市場上還有一種VMOS管功率模塊，專供交流電機(jī)調(diào)速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模塊，內(nèi)部有N溝道、P溝道管各三只，構(gòu)成三相橋式結(jié)構(gòu)。

　　4）現(xiàn)在市售VNF系列（N溝道）產(chǎn)品，是美國Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場效應(yīng)管，其*高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信號(hào)低頻跨導(dǎo)gm=2000μS。適用于高速開關(guān)電路和廣播、通信設(shè)備中。

　　5）使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，*大功率才能達(dá)到30W。

　　6）多管并聯(lián)后，由于*間電容和分布電容相應(yīng)增加，使放大器的高頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此，并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過4個(gè)，而且在每管基*或柵*上串接防寄生振蕩電阻。