在選MOSFET的過程中，我們要了解其中的各個參數(shù)。  

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??1）電壓應力：  

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??在電源電路應用中，往往首先考慮漏源電壓VDS的選擇。在此上的基本原則為MOSFET實際工作環(huán)境中的*大峰值漏源*間的電壓不大于器件規(guī)格書中標稱漏源擊穿電壓的90%。即：VDS_peak≤90%*V(BR)DSS。  

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??一般V(BR)DSS具有正溫度系數(shù)。故應取設備*低工作溫度條件下之V(BR)DSS值作為參考。  

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??2）漏*電流：  

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??其次考慮漏*電流的選擇。基本原則為MOSFET實際工作環(huán)境中的*大周期漏*電流不大于規(guī)格書中標稱*大漏源電流的90%；漏*脈沖電流峰值不大于規(guī)格書中標稱漏*脈沖電流峰值的90%即：ID_max≤90%*ID  

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??一般地，ID_max及ID_pulse具有負溫度系數(shù)，故應取器件在*大結溫條件下之ID_max及ID_pulse值作為參考。器件此參數(shù)的選擇是*為不確定的—主要是受工作環(huán)境，散熱技術，器件其它參數(shù)（如導通電阻，熱阻等）等相互制約影響所致。*終的判定依據(jù)是結點溫度（即如下第六條之“耗散功率約束”）。根據(jù)經(jīng)驗，在實際應用中ID會比實際*大工作電流大數(shù)倍，這是因為散耗功率及溫升之限制約束。在初選計算時期還須根據(jù)下面第六條的散耗功率約束不斷調整此參數(shù)。建議初選于3~5倍左右ID=(3~5)*ID_max。  

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??3）驅動要求：  

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??MOSFEF的驅動要求由其柵*總充電電量（Qg）參數(shù)決定。在滿足其它參數(shù)要求的情況下，盡量選擇Qg小者以便驅動電路的設計。驅動電壓選擇在保證遠離*大柵源電壓（VGSS）前提下使Ron盡量小的電壓值（一般使用器件規(guī)格書中的建議值）。  

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??4）損耗及散熱：  

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??小的Ron值有利于減小導通期間損耗，小的Rth值可減小溫度差（同樣耗散功率條件下），故有利于散熱。  

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??5）損耗功率初算：  

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??MOSFET損耗計算主要包含如下8個部分：PD=Pon+Poff+Poff_on+Pon_off+Pds+Pgs+Pd_f+Pd_recover；詳細計算公式應根據(jù)具體電路及工作條件而定。例如在同步整流的應用場合，還要考慮體內二*管正向導通期間的損耗和轉向截止時的反向恢復損耗。  

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??6）耗散功率約束：  

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??器件穩(wěn)態(tài)損耗功率PD,max應以器件*大工作結溫度限制作為考量依據(jù)。如能夠預先知道器件工作環(huán)境溫度，則可以按如下方法估算出*大的耗散功率：PD,max≤（Tj,max-Tamb）/Rθj-a。  

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??其中Rθj-a是器件結點到其工作環(huán)境之間的總熱阻,包括Rθjuntion-case,Rθcase-sink,Rθsink-ambiance等。如其間還有絕緣材料還須將其熱阻考慮進去。計算方式可按熱流等效電路進行計算。  

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??再根據(jù)此數(shù)值返回到上面重新調整ID/Ron等參數(shù)（如需要）。直到PD,max計算值接近而有不超過（Tj,max-Tamb）/Rθj-a計算值。